作為國(guó)內(nèi)3D NAND閃存領(lǐng)域的頭部企業(yè)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)這一國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)領(lǐng)域的核心力量，即將踏入資本市場(chǎng)。

國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)賽道如今正迎來前所未有的資本化高潮。今年5月19日，證監(jiān)會(huì)官網(wǎng)公開信息顯示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)控股股份有限公司已經(jīng)和中信證券、中信建投簽訂輔導(dǎo)協(xié)議，正式開啟A股上市輔導(dǎo)工作。這也意味著，這家肩負(fù)著中國(guó)存儲(chǔ)芯片國(guó)產(chǎn)替代希望的國(guó)之重器，距離登陸A股只剩最后一步。

作為中國(guó)3D NAND閃存賽道的領(lǐng)軍企業(yè)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)只用了不到十年時(shí)間，就走完了國(guó)際存儲(chǔ)巨頭幾十年的發(fā)展路程。在胡潤(rùn)研究院發(fā)布的《2025全球獨(dú)角獸榜》中，長(zhǎng)江存儲(chǔ)以1600億元人民幣的估值成功上榜。不過比估值數(shù)字更值得關(guān)注的，是AI算力爆發(fā)給存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)帶來的價(jià)值重構(gòu)，這正是長(zhǎng)江存儲(chǔ)此次啟動(dòng)IPO背后的核心邏輯。

半導(dǎo)體資深團(tuán)隊(duì)帶隊(duì)，突破存儲(chǔ)芯片卡脖子困境

把時(shí)間拉回2016年，當(dāng)時(shí)中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正陷入嚴(yán)重的存儲(chǔ)困局——無論是DRAM還是NAND芯片幾乎都完全依靠進(jìn)口，存儲(chǔ)芯片成為國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈卡脖子問題最突出的領(lǐng)域。

正是在這樣的背景下，清華紫光聯(lián)合國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北省產(chǎn)業(yè)投資集團(tuán)，共同在武漢組建成立了長(zhǎng)江存儲(chǔ)。但想要在存儲(chǔ)芯片這個(gè)高技術(shù)壁壘行業(yè)實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)突圍，只靠資金投入遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠，更需要一支經(jīng)驗(yàn)豐富、能沉下心攻堅(jiān)的技術(shù)管理核心團(tuán)隊(duì)。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)從成立之初就匯聚了一群半導(dǎo)體行業(yè)老兵。現(xiàn)任董事長(zhǎng)陳南翔是國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體領(lǐng)域公認(rèn)的資深專家，他本科畢業(yè)于電子科技大學(xué)半導(dǎo)體器件專業(yè)，還擁有北京師范大學(xué)低能核物理研究所離子束物理及大規(guī)模集成電路應(yīng)用專業(yè)博士學(xué)位，曾先后在紫光集團(tuán)、華潤(rùn)微電子任職，完整經(jīng)歷了中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)從低谷到突圍的全部過程。

和陳南翔搭檔的是另一位行業(yè)資深人士楊士寧，作為長(zhǎng)江存儲(chǔ)的核心技術(shù)負(fù)責(zé)人，楊士寧在美國(guó)倫斯勒理工學(xué)院取得了物理學(xué)碩士以及材料工程學(xué)博士學(xué)位，還曾在英特爾工作超過十年，擁有豐富的國(guó)際大廠研發(fā)經(jīng)驗(yàn)。他從2016年7月開始擔(dān)任長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO，2022年升任常務(wù)副董事長(zhǎng)。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)在3D NAND閃存領(lǐng)域的多項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)突破，都是在他的主導(dǎo)下完成的，還研發(fā)出了極具自主特色的Xtacking（晶棧）技術(shù)。

這支由行業(yè)老兵掌舵、同時(shí)兼具技術(shù)積累和產(chǎn)業(yè)經(jīng)驗(yàn)的核心團(tuán)隊(duì)，為長(zhǎng)江存儲(chǔ)的快速發(fā)展筑牢了根基，讓這家成立不到十年的年輕企業(yè)，短短幾年就實(shí)現(xiàn)了從技術(shù)追趕到部分領(lǐng)域領(lǐng)跑的跨越，為國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片突圍打下了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

從輔導(dǎo)披露的股權(quán)結(jié)構(gòu)來看，長(zhǎng)江存儲(chǔ)目前沒有控股股東，第一大股東為湖北長(zhǎng)晟發(fā)展有限責(zé)任公司，持股比例為26.5442%，其他股東還包括國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北及武漢地方國(guó)資平臺(tái)、金融機(jī)構(gòu)以及各類市場(chǎng)投資機(jī)構(gòu)。

從零起步突破技術(shù)，打破海外壟斷的國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯

成立之初，長(zhǎng)江存儲(chǔ)就把全部精力聚焦在3D NAND閃存的自主研發(fā)上，希望依靠技術(shù)創(chuàng)新打破海外巨頭的長(zhǎng)期壟斷，填補(bǔ)國(guó)內(nèi)高端存儲(chǔ)芯片的市場(chǎng)空白。

2017年10月，長(zhǎng)江存儲(chǔ)通過自主研發(fā)加國(guó)際合作的模式，成功設(shè)計(jì)制造出中國(guó)第一顆自主3D NAND閃存。

想要弄清楚3D NAND閃存的技術(shù)價(jià)值，首先要明白它和傳統(tǒng)2D閃存的核心差異：傳統(tǒng)2D閃存就像“平房”，只能在平面上擴(kuò)大面積，而3D NAND就像“高樓”，通過向垂直方向堆疊存儲(chǔ)單元，能在同樣的芯片面積內(nèi)容納更多存儲(chǔ)單元，解決了傳統(tǒng)平面閃存無法繼續(xù)縮小尺寸的瓶頸，是現(xiàn)在固態(tài)硬盤和手機(jī)存儲(chǔ)最核心的主流材料。

在實(shí)現(xiàn)初步突破之后，長(zhǎng)江存儲(chǔ)開始向更深層的架構(gòu)創(chuàng)新發(fā)起沖擊。2018年8月，在全球頂級(jí)閃存行業(yè)峰會(huì)Flash Memory Summit上，長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式發(fā)布了革命性的晶棧Xtacking架構(gòu)。在該架構(gòu)推出之前，全球市場(chǎng)的3D NAND主要分為傳統(tǒng)并列式架構(gòu)和CuA（CMOS under Array）架構(gòu)兩類。

經(jīng)過長(zhǎng)江存儲(chǔ)團(tuán)隊(duì)長(zhǎng)達(dá)9年在3D IC領(lǐng)域的技術(shù)積累，加上4年的研發(fā)驗(yàn)證，最終將晶圓鍵合這項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)成功應(yīng)用在3D NAND閃存上，能在指甲蓋大小的芯片面積上實(shí)現(xiàn)數(shù)十億根金屬通道的連接，將兩塊晶圓合為一體，還能達(dá)到和單片晶圓加工同等的優(yōu)質(zhì)可靠性。隨著堆疊層數(shù)不斷提升，基于晶棧Xtacking架構(gòu)研發(fā)生產(chǎn)的3D NAND閃存，會(huì)擁有越來越明顯的成本和創(chuàng)新優(yōu)勢(shì)。

技術(shù)突破很快就轉(zhuǎn)化成了量產(chǎn)成果。2019年9月，搭載長(zhǎng)江存儲(chǔ)自主晶棧Xtacking架構(gòu)的第二代TLC 3D NAND閃存正式實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)；2020年4月，長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布第三代TLC/QLC兩款產(chǎn)品研發(fā)成功，其中X2-6070作為首款第三代QLC閃存，在發(fā)布時(shí)就擁有全球業(yè)界最高的存儲(chǔ)密度和最大的單顆芯片容量。

隨著技術(shù)不斷成熟，產(chǎn)能逐步釋放，長(zhǎng)江存儲(chǔ)產(chǎn)品的品質(zhì)和市場(chǎng)認(rèn)可度持續(xù)提升，不僅在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)站穩(wěn)腳跟，還成功打入全球高端存儲(chǔ)市場(chǎng)。截至目前，長(zhǎng)江存儲(chǔ)已經(jīng)為全球各地的合作客戶提供3D NAND閃存晶圓、顆粒、嵌入式存儲(chǔ)芯片，以及消費(fèi)級(jí)、企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤等多款產(chǎn)品和解決方案，廣泛應(yīng)用在移動(dòng)通信、消費(fèi)電子、計(jì)算機(jī)、服務(wù)器以及數(shù)據(jù)中心等多個(gè)領(lǐng)域。

據(jù)產(chǎn)業(yè)鏈核心知情人士透露，2026年第一季度長(zhǎng)江存儲(chǔ)營(yíng)收已經(jīng)突破200億元，同比實(shí)現(xiàn)翻倍增長(zhǎng)，NAND閃存芯片的全球市場(chǎng)占比已經(jīng)超過10%。

產(chǎn)能方面，根據(jù)韓國(guó)媒體Chosun Biz的報(bào)道，目前長(zhǎng)江存儲(chǔ)一期產(chǎn)線月產(chǎn)能已經(jīng)達(dá)到10萬片晶圓，二期產(chǎn)線月產(chǎn)能約6萬片，位于武漢的三期項(xiàng)目也就是第三座晶圓廠，預(yù)計(jì)會(huì)在2026年下半年開始量產(chǎn)高堆疊層數(shù)的NAND Flash。按照當(dāng)前產(chǎn)能規(guī)劃，今年長(zhǎng)江存儲(chǔ)的NAND Flash總產(chǎn)量預(yù)計(jì)將會(huì)超過SK海力士和美光，升至全球第三位，僅次于三星和鎧俠。

千億估值背后，AI爆發(fā)重構(gòu)存儲(chǔ)行業(yè)價(jià)值

技術(shù)突破疊加產(chǎn)能擴(kuò)張，共同推高了長(zhǎng)江存儲(chǔ)的資本估值。

在胡潤(rùn)研究院《2025全球獨(dú)角獸榜》中，長(zhǎng)江存儲(chǔ)以1600億元人民幣的估值首次上榜，位列中國(guó)十大獨(dú)角獸第9位、全球第21位，同時(shí)也是半導(dǎo)體行業(yè)估值最高的新晉獨(dú)角獸。

長(zhǎng)期以來，存儲(chǔ)芯片都屬于強(qiáng)周期性行業(yè)，行業(yè)景氣度高度綁定手機(jī)、PC等消費(fèi)終端的銷量。但近年來AI產(chǎn)業(yè)爆發(fā)式增長(zhǎng)，大模型訓(xùn)練、云端數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、智能算力集群建設(shè)帶來了海量的存儲(chǔ)需求，數(shù)據(jù)中心對(duì)高端存儲(chǔ)的需求呈現(xiàn)指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)。

可以說，AI算力的爆發(fā)正在徹底改寫存儲(chǔ)行業(yè)的傳統(tǒng)周期邏輯，頭部存儲(chǔ)企業(yè)的價(jià)值迎來了系統(tǒng)性重估。

高盛公開分析稱，全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)正面臨過去15年來最嚴(yán)重的供應(yīng)短缺，因此大幅上調(diào)了2026年存儲(chǔ)芯片價(jià)格預(yù)測(cè)，將DRAM存儲(chǔ)芯片價(jià)格漲幅預(yù)測(cè)從約150%上調(diào)至250%—280%，NAND價(jià)格漲幅預(yù)測(cè)從約100%上調(diào)至200%—250%。

行業(yè)的高景氣也直接傳導(dǎo)到了人才市場(chǎng)，SK海力士宣布將年度營(yíng)業(yè)利潤(rùn)的10%作為全員績(jī)效獎(jiǎng)金，預(yù)計(jì)2026年人均獎(jiǎng)金約326萬元，2027年甚至可能突破600萬元。這樣的行業(yè)紅利，既體現(xiàn)了存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的戰(zhàn)略地位提升，也側(cè)面反映出長(zhǎng)江存儲(chǔ)所處賽道的巨大發(fā)展?jié)摿Α?/p>

對(duì)長(zhǎng)江存儲(chǔ)來說，登陸資本市場(chǎng)不是發(fā)展的終點(diǎn)，而是全新征程的起點(diǎn)。未來公司可以借助上市募集的資金，進(jìn)一步加快技術(shù)迭代速度、擴(kuò)大產(chǎn)能規(guī)模、鞏固全球市場(chǎng)份額，逐步縮小和國(guó)際頂尖存儲(chǔ)巨頭的差距。從打破技術(shù)壟斷到引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的IPO不僅是企業(yè)自身發(fā)展的里程碑，更是中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向高端化、國(guó)際化邁進(jìn)的重要標(biāo)志。

本文來自微信公眾號(hào)“獵云精選”，作者：韓文靜，36氪經(jīng)授權(quán)發(fā)布。

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